在半導(dǎo)體制造中，干法刻蝕是用來(lái)去除表面材料的主要的刻蝕方法。干法刻蝕是把硅片表面暴露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)，從而去掉暴露的材料。

一個(gè)等離子體干法刻蝕系統(tǒng)由發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、一個(gè)產(chǎn)生等離子體的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除刻蝕生成物和氣體的真空系統(tǒng)等組成。刻蝕反應(yīng)系統(tǒng)包括傳感器、氣體流量控制單元和終點(diǎn)觸發(fā)探測(cè)器。一般的干法刻蝕中的控制參數(shù)包括真空度、氣體混合組分、氣流流速、溫度、射頻功率和硅片相對(duì)于等離子體的位置。常用的干法等離子體反應(yīng)器類型包括圓筒式等離子體反應(yīng)器、平板式反應(yīng)器、順流刻蝕系統(tǒng)、三級(jí)平面反應(yīng)器、離子銑、反應(yīng)離子刻蝕器、高密度等離子體刻蝕機(jī)等。